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FDA33N25 Canal N Orificio pasante 250V 33 A (Tc) 245 W (Tc) TO-3PN
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDA33N25-ND
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Cantidad disponible 2,151
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDA33N25

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Descripción MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 33 A (Tc) 245 W (Tc) TO-3PN

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Documentos y medios
Hojas de datos FDA33N25
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 94 mOhm a 16.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 46.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 245 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 450
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.37000 $3.37
10 3.04300 $30.43
450 2.17327 $977.97
900 1.71688 $1,545.19
1,350 1.57562 $2,127.09
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04:29:30 9/26/2018