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FCPF20N60 Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 39 W (Tc) TO-220F
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.51000 $7.51
10 6.71500 $67.15
100 5.52760 $552.76
500 4.49884 $2,249.42
1,000 3.81298 $3,812.98
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCPF20N60-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCPF20N60

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Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 39 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FCP(F)20N60
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 98nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3080pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 39 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres FCPF20N60_NL
FCPF20N60_NL-ND

10:37:18 12/12/2018