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FCPF190N65S3L1 Canal N Orificio pasante 650V 14 A (Tc) 33 W (Tc) TO-220F-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.05000 $3.05
10 2.75400 $27.54
100 2.21270 $221.27
500 1.72096 $860.48
1,000 1.42593 $1,425.93

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCPF190N65S3L1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCPF190N65S3L1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 14 A (Tc) 33 W (Tc) TO-220F-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FCPF190N65S3L1
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET® III
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1.4 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1225pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 33 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

12:49:30 10/20/2018