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FCPF165N65S3L1 Canal N Orificio pasante 650V 19 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220F-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.39000 $3.39
10 3.06200 $30.62
100 2.46020 $246.02
500 1.91346 $956.73
1,000 1.58543 $1,585.43
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCPF165N65S3L1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCPF165N65S3L1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
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Plazo estándar del fabricante 52 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 19 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220F-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FCPF165N65S3L1
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET® III
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 165 mOhm a 9.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1.9 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1415pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

16:25:49 12/16/2018