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FCPF11N60NT Canal N Orificio pasante 600V 10.8 A (Tc) 32.1 W (Tc) TO-220F
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1 4.20000 $4.20
10 3.75200 $37.52
100 3.07650 $307.65
500 2.49122 $1,245.61
1,000 2.10102 $2,101.02
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCPF11N60NT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCPF11N60NT

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Descripción MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 10.8 A (Tc) 32.1 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FCP11N60N, FCPF11N60NT
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 299 mOhm a 5.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35.6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1505pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 32.1 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

02:23:52 10/17/2018