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FCPF11N60F Canal N Orificio pasante 600V 11 A (Tc) 36 W (Tc) TO-220F
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.42000 $2.42
10 2.18900 $21.89
100 1.75900 $175.90
500 1.36810 $684.05
1,000 1.13357 $1,133.57
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCPF11N60F-ND
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Cantidad disponible 448
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCPF11N60F

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Descripción MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
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Plazo estándar del fabricante 52 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 11 A (Tc) 36 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FCPF11N60F
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 380 mOhm a 5.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 52nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1490pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 36 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

10:26:32 10/22/2018