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FCP190N65S3 Canal N Orificio pasante 650V 17 A (Tc) 144 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.17000 $3.17
10 2.87000 $28.70
100 2.31850 $231.85
800 1.64709 $1,317.67
1,600 1.51681 $2,426.90
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCP190N65S3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCP190N65S3

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Descripción MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 17 A (Tc) 144 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FCP190N65S3
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET® III
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 8.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1.7 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 144 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 800

05:31:08 10/21/2018