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FCP165N65S3 Canal N Orificio pasante 650V 19 A (Tc) 154 W (Tc) TO-220-3
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1 3.39000 $3.39
10 3.06200 $30.62
100 2.46020 $246.02
800 1.72758 $1,382.06
1,600 1.58543 $2,536.69
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCP165N65S3OS-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCP165N65S3

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Descripción SF3 650V 165MOHM E TO220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 19 A (Tc) 154 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FCP165N65S3
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET® III
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 165 mOhm a 9.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1.9 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 39nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 154 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo Sin plomo
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 800
Otros nombres FCP165N65S3-ND
FCP165N65S3OS

22:17:03 10/16/2018