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Índice de productos > Productos semiconductores discretos > Transistores - FET, MOSFET - Simple > ON Semiconductor FCH165N65S3R0-F155
FCH165N65S3R0-F155 ON Semiconductor | FCH165N65S3R0-F155-ND DigiKey Electronics

FCH165N65S3R0-F155 Canal N Orificio pasante 650V 19 A (Tc) 154 W (Tc) TO-247-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCH165N65S3R0-F155-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCH165N65S3R0-F155

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Descripción SF3 650V 165MOHM E TO247L
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Plazo estándar del fabricante 52 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 19 A (Tc) 154 W (Tc) TO-247-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FCH165N65S3R0-F155
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías Productos semiconductores discretos
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET® III
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 165 mOhm a 9.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1.9 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 39nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 154 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo Sin plomo
Recursos adicionales
Envase estándar ? 450

01:33:31 11/17/2018