Agregar a favoritos
FCD850N80Z Canal N Montaje en superficie 800V 6 A (Tc) 75W (Tc) DPAK
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.76000 $1.76
10 1.55900 $15.59
100 1.24090 $124.09
500 0.97136 $485.68
1,000 0.77531 $775.31
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCD850N80ZCT-ND
Copiar   FCD850N80ZCT-ND
Cantidad disponible 2,523
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

FCD850N80Z

Copiar   FCD850N80Z
Descripción MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Copiar   MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 800V 6 A (Tc) 75W (Tc) DPAK

Copiar   Canal N Montaje en superficie 800V 6 A (Tc) 75W (Tc) DPAK
Documentos y medios
Hojas de datos FCx850N80Z
Diseño/especificación de PCN Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Transfer 28/Apr/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET® II
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 850mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 600µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1315pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 75W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SPD06N80C3ATMA1 - Infineon Technologies | SPD06N80C3ATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • SPD06N80C3ATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
  • Precio unitario $2.10000
  • SPD06N80C3ATMA1CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FCD850N80ZCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FCD850N80ZTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.70514

21:49:40 4/25/2019