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FCA76N60N Canal N Orificio pasante 600V 76 A (Tc) 543 W (Tc) TO-3PN
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FCA76N60N-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FCA76N60N

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Descripción MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 76 A (Tc) 543 W (Tc) TO-3PN

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Documentos y medios
Hojas de datos FCA76N60N
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SupreMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 76 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 36 mOhm a 38 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 285nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12385pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 543 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $12.89000
  • FCH041N60E-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 450

20:21:21 12/9/2018