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BVSS84LT1G Canal P Montaje en superficie 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) SOT-23-3
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1 0.46000 $0.46
10 0.35600 $3.56
100 0.24590 $24.59
500 0.17040 $85.20
1,000 0.12921 $129.21
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BVSS84LT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 47,885
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BVSS84LT1G

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Descripción MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
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Plazo estándar del fabricante 35 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos B(V)SS84L Datasheet
Diseño/especificación de PCN SOT23 27/Sep/2016
Ensamble/origen de PCN Mult Devices Mold Compound 25/Apr/2018
Hoja de datos de HTML B(V)SS84L Datasheet
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 50V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10Ohm a 100mA, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.2nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 36pF @ 5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 225mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BVSS84LT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BVSS84LT1GOSTR-ND
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  • Cantidad disponible: 47,885 - Inmediata
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01:41:25 4/23/2019