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BVSS138LT1G Canal N Montaje en superficie 50V 200 mA (Ta) 225 mW (Ta) SOT-23-3
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1 0.49000 $0.49
10 0.35100 $3.51
100 0.23160 $23.16
500 0.13838 $69.19
1,000 0.10732 $107.32
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BVSS138LT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 132,518
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BVSS138LT1G

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Descripción MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 50V 200 mA (Ta) 225 mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos BSS138LT1 Datasheet
Diseño/especificación de PCN SOT23 27/Sep/2016
Hoja de datos de HTML BSS138LT1 Datasheet
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 50V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5 Ohm a 200 mA, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 1 mA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 225 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BVSS138LT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BVSS138LT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 132,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09414
  • Digi-Reel® ? : BVSS138LT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 132,518 - Inmediata
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07:34:33 2/19/2019