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BSS123LT1G Canal N Montaje en superficie 100V 170 mA (Ta) 225 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.28700 $2.87
100 0.16190 $16.19
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSS123LT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 239,658
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSS123LT1G

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Descripción MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 170 mA (Ta) 225 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos BSS123LT1 Datasheet
Diseño/especificación de PCN Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
Ensamble/origen de PCN TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
Hoja de datos de HTML BSS123LT1 Datasheet
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 170 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6 Ohm a 100 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8 V a 1 mA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 20pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 225 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSS123LT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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20:14:14 2/15/2019