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BBS3002-DL-1E Canal P Montaje en superficie 60V 100 A (Ta) 90W (Tc) D²PAK (TO-263)
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.22000 $4.22
10 3.79000 $37.90
25 3.58280 $89.57
100 2.86610 $286.61
250 2.70692 $676.73

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BBS3002-DL-1EOSTR-ND
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  • Digi-Reel®  : BBS3002-DL-1EOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,752 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BBS3002-DL-1E

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BBS3002-DL-1EOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BBS3002-DL-1E
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Descripción MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 100 A (Ta) 90W (Tc) D²PAK (TO-263)

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Documentos y medios
Hojas de datos BBS3002
Información de RoHS Material Declaration BBS3002-DL-1E
Ensamble/origen de PCN Additional Wafer Fab Site 11/Aug/2014
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.8mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 280nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13200pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 90W (Tc)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BBS3002-DL-1EOSCT