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2V7002LT1G Canal N Montaje en superficie 60V 115mA (Tc) 225mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2V7002LT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

2V7002LT1G

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Descripción MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
Copiar   MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 115mA (Tc) 225mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos 2N7002L Datasheet
Diseño/especificación de PCN SOT23 27/Sep/2016
Hoja de datos de HTML 2N7002L Datasheet
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 115mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 225mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 2V7002LT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 2V7002LT1GOSTR-ND
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17:19:37 4/24/2019