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2SJ661-1E Canal P Orificio pasante 60V 38 A (Ta) 1.65 W (Ta), 65 W (Tc) TO-262-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.25000 $2.25
50 1.81060 $90.53
100 1.62950 $162.95
500 1.26742 $633.71
1,000 1.05015 $1,050.15

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2SJ661-1E-ND
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Cantidad disponible 193
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 1,750
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

2SJ661-1E

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Descripción MOSFET P-CH 60V 38A
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 60V 38 A (Ta) 1.65 W (Ta), 65 W (Tc) TO-262-3

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Documentos y medios
Hojas de datos 2SJ661
Ensamble/origen de PCN Frabrication Site Change 27/Aug/2014
Wafer Fab Transfer 12/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 39 mOhm a 19 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4360pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.65 W (Ta), 65 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

10:22:52 12/13/2018