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2SJ652-1E Canal P Orificio pasante 60V 28 A (Ta) 2 W (Ta), 30 W (Tc) TO-220F-3SG
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.22000 $2.22
50 1.79240 $89.62
100 1.61320 $161.32
500 1.25472 $627.36
1,000 1.03962 $1,039.62

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2SJ652-1EOS-ND
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Cantidad disponible 411
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

2SJ652-1E

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Descripción MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 60V 28 A (Ta) 2 W (Ta), 30 W (Tc) TO-220F-3SG

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Documentos y medios
Hojas de datos 2SJ652
Ensamble/origen de PCN Frabrication Site Change 27/Aug/2014
Wafer Fab Transfer 12/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 38 mOhm a 14 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4360pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Ta), 30 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F-3SG
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Otros nombres 2SJ652-1E-ND
2SJ652-1EOS

01:58:41 10/20/2018