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2SB817C-1E Transistor bipolar (BJT) PNP 140V 12A 10 MHz 120W Orificio pasante TO-3P-3L
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2SB817C-1EOS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

2SB817C-1E

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Descripción TRANS PNP 140V 12A
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Plazo estándar del fabricante 2 semanas
Descripción detallada

Transistor bipolar (BJT) PNP 140V 12A 10 MHz 120W Orificio pasante TO-3P-3L

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Documentos y medios
Hojas de datos 2SB817C
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor PNP
Corriente de colector (Ic) máx. 12A
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 140V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 2 V a 500 mA, 5 A
Corriente de corte del colector (máx.) 100 µA (ICBO)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 100 a 1 A, 5 V
Potencia máxima 120W
Frecuencia - Transición 10 MHz
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P-3L
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 2SB817C-1E-ND
2SB817C-1EOS
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.84000 $2.84
30 2.40700 $72.21
120 2.08617 $250.34
510 1.77594 $905.73
1,020 1.49778 $1,527.74

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17:21:09 9/23/2018