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2N7002LT1G Canal N Montaje en superficie 60V 115 mA (Tc) 225 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2N7002LT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

2N7002LT1G

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Descripción MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
Copiar   MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 115 mA (Tc) 225 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos 2N7002L Datasheet
Diseño/especificación de PCN Glue Mount Process 11/July/2008
Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
Hoja de datos de HTML 2N7002L Datasheet
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 115 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250µA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 225 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 2N7002LT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 2N7002LT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 1,938,000 - Inmediata
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  • Digi-Reel® ? : 2N7002LT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,946,144 - Inmediata
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  • Cinta y rollo (TR) ? : 2N7002LT3GOSTR-ND
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