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2N7002ET1G Canal N Montaje en superficie 60V 260 mA (Ta) 300 mW (Tj) SOT-23-3 (TO-236)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2N7002ET1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 429,727
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

2N7002ET1G

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Descripción MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 260 mA (Ta) 300 mW (Tj) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos 2N7002E Datasheet
Diseño/especificación de PCN Glue Mount Process 11/July/2008
Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
Hoja de datos de HTML 2N7002E Datasheet
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 260 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 Ohm a 240 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.81nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 26.7pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 mW (Tj)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 2N7002ET1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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08:14:54 2/18/2019