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2N7000TA Canal N Orificio pasante 60V 200mA (Tc) 400mW (Ta) TO-92-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.43000 $0.43
10 0.31700 $3.17
25 0.27720 $6.93
100 0.15050 $15.05
250 0.14968 $37.42
500 0.12276 $61.38
1,000 0.09108 $91.08
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Paquete alternativo
  • Cinta y caja  : 2N7000TATB-ND
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  • Cantidad disponible: 240,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.07999

2N7000TA

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 2N7000TACT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante 2N7000TA
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Descripción MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
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Plazo estándar del fabricante 7 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 200mA (Tc) 400mW (Ta) TO-92-3

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Documentos y medios
Hojas de datos 2N7000, 2N7002, NDS7002A
Diseño/especificación de PCN 2N7000 06/Sep/2016
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Recursos de diseño Available In the Digi-Key KiCad Library
Información de RoHS Material Declaration 2N7000TA
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)
Número de pieza base 2N7000
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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