Agregar a favoritos
Índice de productos > Productos semiconductores discretos > Transistores - FET, MOSFET - Simple > ON Semiconductor 2N7000
2N7000 ON Semiconductor | 2N7000FS-ND DigiKey Electronics

2N7000 Canal N Orificio pasante 60V 200mA (Ta) 400mW (Ta) TO-92-3
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.47000 $0.47
10 0.37000 $3.70
100 0.25570 $25.57
500 0.17718 $88.59
1,000 0.13434 $134.34
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2N7000FS-ND
Copiar   2N7000FS-ND
Cantidad disponible 83,335
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

2N7000

Copiar   2N7000
Descripción MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Copiar   MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 200mA (Ta) 400mW (Ta) TO-92-3

Copiar   Canal N Orificio pasante 60V 200mA (Ta) 400mW (Ta) TO-92-3
Documentos y medios
Hojas de datos 2N7000, 2N7002, NDS7002A
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Transfer 14/Apr/2015
Embalaje de PCN TO92 Packing Updates 01/Jul/2015
Mult Devices 24/Oct/2017
Modelos EDA/CAD Available In the Digi-Key KiCad Library
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías Productos semiconductores discretos
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de pieza base 2N7000
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • BS250P - Diodes Incorporated | BS250P-ND DigiKey Electronics
  • BS250P
  • Diodes Incorporated
  • MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3
  • Precio unitario $0.96000
  • BS250P-ND
  • 2N3906-AP - Micro Commercial Co | 2N3906-APCT-ND DigiKey Electronics
  • 2N3906-AP
  • Micro Commercial Co
  • TRANS PNP 40V 0.2A TO92
  • Precio unitario $0.19000
  • 2N3906-APCT-ND
  • BS170 - ON Semiconductor | BS170-ND DigiKey Electronics
  • BS170
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
  • Precio unitario $0.61000
  • BS170-ND
  • VP2106N3-G - Microchip Technology | VP2106N3-G-ND DigiKey Electronics
  • VP2106N3-G
  • Microchip Technology
  • MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
  • Precio unitario $0.49000
  • VP2106N3-G-ND
  • TP2104N3-G - Microchip Technology | TP2104N3-G-ND DigiKey Electronics
  • TP2104N3-G
  • Microchip Technology
  • MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
  • Precio unitario $0.60000
  • TP2104N3-G-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10,000
Otros nombres 2N7000FS

17:06:38 4/23/2019