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2N7000 Canal N Orificio pasante 60V 200 mA (Ta) 400 mW (Ta) TO-92-3
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1 0.47000 $0.47
10 0.34500 $3.45
100 0.20460 $20.46
500 0.11732 $58.66
1,000 0.09074 $90.74
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2N7000FS-ND
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Cantidad disponible 91,768
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

2N7000

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Descripción MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
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Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 200 mA (Ta) 400 mW (Ta) TO-92-3

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Documentos y medios
Hojas de datos 2N7000/02, NDS7002A Datasheet
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Transfer 14/Apr/2015
Embalaje de PCN TO92 Packing Updates 01/Jul/2015
Mult Devices 24/Oct/2017
Hoja de datos de HTML 2N7000/02, NDS7002A Datasheet
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 1 mA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de pieza base 2N7000
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10,000
Otros nombres 2N7000FS

19:41:08 11/17/2018