2N7000 ON Semiconductor | Productos semiconductores discretos

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	2N7000FS-ND
Cantidad disponible	101,630 Disponible para envío inmediato
Fabricante	ON Semiconductor
Número de pieza del fabricante	2N7000
Descripción	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60V 200 mA (Ta) 400 mW (Ta) TO-92-3

Documentos y medios

Hojas de datos	2N7000/02, NDS7002A Datasheet
Diseño/especificación de PCN	Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN	Assembly/Test Site Transfer 14/Apr/2015
Embalaje de PCN	TO92 Packing Updates 01/Jul/2015 Mult Devices 24/Oct/2017
Hoja de datos de HTML	2N7000/02, NDS7002A Datasheet
Modelos EDA / CAD	Descargar de Ultra Librarian

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	ON Semiconductor
Serie	-
Empaquetado	Granel
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	200 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	3 V a 1 mA
Vgs (máx.)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	50pF @ 25V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	400 mW (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	5 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de pieza base	2N7000