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PSMN8R2-80YS,115 Canal N Montaje en superficie 80V 82 A (Tc) 130W (Tc) LFPAK56, Power-SO8
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1727-4272-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

PSMN8R2-80YS,115

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Descripción MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 82 A (Tc) 130W (Tc) LFPAK56, Power-SO8

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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 82 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3640pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja (carcasa) SC-100, SOT-669
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 1727-4272-1
568-4904-1
568-4904-1-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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23:41:49 4/18/2019