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PSMN8R2-80YS,115 Canal N Montaje en superficie 80V 82 A (Tc) 130W (Tc) LFPAK56, Power-SO8
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PSMN8R2-80YS,115

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 1727-4272-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante PSMN8R2-80YS,115
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Descripción MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 82 A (Tc) 130W (Tc) LFPAK56, Power-SO8

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Documentos y medios
Hojas de datos PSMN8R2-80YS
Producto destacado LFPAK Trench 6 MOSFETs
Diseño/especificación de PCN Solder Material Update 14/Sep/2015
Ensamble/origen de PCN Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016
Embalaje de PCN Logo 10/Dec/2016
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
Hoja de datos de HTML PSMN8R2-80YS
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 82 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3640pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja (carcasa) SC-100, SOT-669
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 1727-4272-1
568-4904-1
568-4904-1-ND