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PSMN4R3-80ES,127 Canal N Orificio pasante 80V 120 A (Tc) 306 W (Tc) I2PAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1727-5280-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

PSMN4R3-80ES,127

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Descripción MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 80V 120 A (Tc) 306 W (Tc) I2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos PSMN4R3-80ES
Embalaje de PCN Label Chg 12/Mar/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.3 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 111nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8161pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 306 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 1727-5280
568-6708
568-6708-5
568-6708-5-ND
568-6708-ND
934065164127

13:54:03 10/19/2018