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1 3.07000 $3.07
50 2.47500 $123.75
100 2.22750 $222.75
500 1.73250 $866.25
1,000 1.43550 $1,435.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1727-6499-ND
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Cantidad disponible 9,718
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

PSMN4R3-100PS,127

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Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 120 A (Tc) 338 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos PSMN4R3-100PS
Diseño/especificación de PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
Label Chg 12/Mar/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.3 mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9900pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 338 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
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11:15:27 3/24/2019