Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1727-6500-ND
Cantidad disponible 198
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN4R3-100ES,127

Descripción MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 120 A (Tc) 338 W (Tc) I2PAK

Documentos y medios
Hojas de datos PSMN4R3-100ES
Embalaje de PCN Label Chg 12/Mar/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.3 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9900pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 338 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 1727-6500
568-8596-5
568-8596-5-ND
934066116127
PSMN4R3100ES127

05:23:24 8/19/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.24000 $3.24
10 2.93000 $29.30
100 2.35460 $235.46
500 1.83138 $915.69
1,000 1.51743 $1,517.43

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario