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50 1.52800 $76.40
100 1.37510 $137.51
500 1.06954 $534.77
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1727-5894-ND
Copiar   1727-5894-ND
Cantidad disponible 3,088
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

PSMN2R8-40PS,127

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Descripción MOSFET N-CH 40V TO220AB
Copiar   MOSFET N-CH 40V TO220AB
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 100 A (Tc) 211 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos PSMN2R8-40PS
Diseño/especificación de PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Ensamble/origen de PCN Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
Label Chg 12/Mar/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.8 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 71nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4491pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 211 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 1727-5894
568-7513-5
568-7513-5-ND
934063986127
PSMN2R8-40PS,127-ND
PSMN2R840PS127

23:31:47 11/16/2018