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PSMN1R1-40BS,118 Canal N Montaje en superficie 40V 120 A (Tc) 306W (Tc) D2PAK
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10 2.46200 $24.62
25 2.32760 $58.19
100 1.86190 $186.19
250 1.75848 $439.62

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PSMN1R1-40BS,118

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 1727-7105-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante PSMN1R1-40BS,118
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Descripción MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 120 A (Tc) 306W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos PSMN1R1-40BS
Ensamble/origen de PCN Alternative Leadframe Supplier 17/Jun/2014
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Label Chg 12/Mar/2017
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 136nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9710pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 306W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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