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PSMN011-80YS,115 Canal N Montaje en superficie 80V 67 A (Tc) 117W (Tc) LFPAK56, Power-SO8
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10 0.94400 $9.44
25 0.89600 $22.40
100 0.67200 $67.20
250 0.66560 $166.40
500 0.56960 $284.80

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  • Cinta y rollo (TR)  : 1727-4623-2-ND
  • Cantidad mínima: 1,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.46400
  • Digi-Reel®  : 1727-4623-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 797 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

PSMN011-80YS,115

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 1727-4623-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante PSMN011-80YS,115
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Descripción MOSFET N-CH 80V LFPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 67 A (Tc) 117W (Tc) LFPAK56, Power-SO8

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Documentos y medios
Hojas de datos PSMN011-80YS
Ensamble/origen de PCN Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016
Embalaje de PCN Leader/Trailer Update 03/Apr/2015
Label Chg 12/Mar/2017
Hoja de datos de HTML PSMN011-80YS
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 67 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2800pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 117W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja (carcasa) SC-100, SOT-669
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 1727-4623-1
568-5577-1
568-5577-1-ND