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PMV45EN2R Canal N Montaje en superficie 30V 4.1 A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) TO-236AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.42000 $0.42
10 0.31700 $3.17
25 0.28560 $7.14
100 0.15050 $15.05
500 0.13338 $66.69
1,000 0.10380 $103.80
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 1727-2307-2-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 45,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09498
  • Digi-Reel®  : 1727-2307-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 45,063 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

PMV45EN2R

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 1727-2307-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante PMV45EN2R
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Descripción MOSFET N-CH 30V SOT23
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 4.1 A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) TO-236AB

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Documentos y medios
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab 24/Feb/2016
Embalaje de PCN Logo 10/Dec/2016
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
Hojas de datos PMV45EN2
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 42mOhm a 4.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 209pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 510mW (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 1727-2307-1
568-12593-1
568-12593-1-ND