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PMV30UN2VL Canal N Montaje en superficie 20V 5.4 A (Ta) 490 mW (Ta) TO-236AB
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PMV30UN2VL

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Descripción MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 5.4 A (Ta) 490 mW (Ta) TO-236AB

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Documentos y medios
Hojas de datos PMV30UN2
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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie TrenchMOS™
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32 mOhm a 4.2 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 900 mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 655pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 490 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10,000
Otros nombres 934068491235

17:14:12 2/15/2019