PMV16XNR Nexperia USA Inc. | Productos semiconductores discretos

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PMV16XNR Canal N Montaje en superficie 20V 6.8 A (Ta) 510 mW (Ta), 6.94 W (Tc) TO-236AB

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	1727-2300-1-ND	Copiar
Cantidad disponible	42,080 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Nexperia USA Inc.	Copiar
Número de pieza del fabricante	PMV16XNR	Copiar
Descripción	MOSFET N-CH 20V SOT23	Copiar
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20V 6.8 A (Ta) 510 mW (Ta), 6.94 W (Tc) TO-236AB	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	PMV16XN
Producto destacado	20 V and 30 V N-Channel Trench MOSFETs
Embalaje de PCN	Carrier Tapes 31/Aug/2016 Pack/Label Update 30/Nov/2016 Logo 10/Dec/2016 Label Chg 12/Mar/2017

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	6.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	20 mOhm a 6.8 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id	900 mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1240pF @ 10V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	510 mW (Ta), 6.94 W (Tc)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-236AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3