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PMF370XN,115 Canal N Montaje en superficie 30V 870mA (Tc) 560mW (Tc) SOT-323
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10 0.34400 $3.44
25 0.30120 $7.53
100 0.16340 $16.34
500 0.13330 $66.65
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  • Cinta y rollo (TR)  : 1727-5422-2-ND
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  • Digi-Reel®  : 1727-5422-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 22,209 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

PMF370XN,115

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 1727-5422-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante PMF370XN,115
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Descripción MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 870mA (Tc) 560mW (Tc) SOT-323

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Documentos y medios
Hojas de datos PMF370XN
Diseño/especificación de PCN Copper Wire Revision 07/May/2014
PMF370XN Datasheet Corr 7/Jul/2019
Embalaje de PCN Label Chg 12/Mar/2017
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
Hoja de datos de HTML PMF370XN
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie TrenchMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 870mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 440mOhm a 200mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.65nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 37pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 560mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-323
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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568-6871-1-ND