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PMDT290UCE,115 Arreglo de MOSFET Canal N y P 20 V 800 mA, 550 mA 500 mW Montaje en superficie SOT-666
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1727-1332-1-ND
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Número de pieza del fabricante

PMDT290UCE,115

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Descripción MOSFET N/P-CH 20V SOT666
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 20 V 800 mA, 550 mA 500 mW Montaje en superficie SOT-666

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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 800 mA, 550 mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 380 mOhm a 500 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 950 mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.68 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 83pF a 10 V
Potencia máxima 500 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-666
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 1727-1332-1
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568-10765-1-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 43,070 - Inmediata
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02:30:31 2/18/2019