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BST82,215 Canal N Montaje en superficie 100V 190mA (Ta) 830mW (Tc) TO-236AB
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1 0.50000 $0.50
10 0.37900 $3.79
100 0.23630 $23.63
500 0.16170 $80.85
1,000 0.12438 $124.38
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1727-4937-1-ND
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Cantidad disponible 9,663
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BST82,215

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Descripción MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 190mA (Ta) 830mW (Tc) TO-236AB

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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie TrenchMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 190mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10Ohm a 150mA, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 40pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 830mW (Tc)
Temperatura de operación -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 1727-4937-1
568-6229-1
568-6229-1-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BST82,235-ND
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00:26:47 8/25/2019