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APTMC120AM16CD3AG Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 1200 V (1.2 kV) 131 A (Tc) 625 W Montaje de chasis D3
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Número de pieza del fabricante

APTMC120AM16CD3AG

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Descripción MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 1200 V (1.2 kV) 131 A (Tc) 625 W Montaje de chasis D3

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Microsemi Corporation
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 131 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 100 A, 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 5 mA (típico)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 246 nC a 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4750 pF a 1000 V
Potencia máxima 625 W
Temperatura de operación -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) Módulo D-3
Paquete del dispositivo del proveedor D3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $1,225.69000
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13:39:43 10/19/2018