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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APTM10UM01FAG-ND
Cantidad disponible 10
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

APTM10UM01FAG

Descripción MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 100V 860 A (Tc) 2500 W (Tc) SP6

Documentos y medios
Hojas de datos APTM10UM01FAG
Power Products Catalog
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Microsemi Corporation
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 860 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 12 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2100nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 60000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2500 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.6 mOhm a 275 A, 10 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SP6
Paquete / Caja (carcasa) SP6
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND

16:25:35 2/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 191.49000 $191.49
10 182.24200 $1,822.42
25 175.63920 $4,390.98

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