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APTM100UM45FAG Canal N Montaje de chasis 1000V 215 A (Tc) 5000 W (Tc) SP6
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APTM100UM45FAG-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

APTM100UM45FAG

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Descripción MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 1000V 215 A (Tc) 5000 W (Tc) SP6

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Documentos y medios
Hojas de datos APTM100UM45FAG
Power Products Catalog
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Microsemi Corporation
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 215 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 52 mOhm a 107.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 30 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1602nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 42700pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5000 W (Tc)
Temperatura de operación -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SP6
Paquete / Caja (carcasa) SP6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres APTM100UM45FAGMI
APTM100UM45FAGMI-ND

15:02:13 12/10/2018