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APT29F100B2 Canal N Orificio pasante 1000V 30 A (Tc) 1040W (Tc) T-MAX™ [B2]
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10 17.85100 $178.51
25 17.11120 $427.78
100 14.79900 $1,479.90
250 14.33656 $3,584.14
500 13.41164 $6,705.82

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APT29F100B2

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante APT29F100B2
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Descripción MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
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Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 30 A (Tc) 1040W (Tc) T-MAX™ [B2]

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Documentos y medios
Hojas de datos APT29F100(B2,L)
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Categorías
Fabricante Microsemi Corporation
Serie POWER MOS 8™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 440mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 2.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 260nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1040W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3 variante
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1