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APT29F100B2 Canal N Orificio pasante 1000V 30 A (Tc) 1040 W (Tc) T-MAX™ [B2]
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120 17.12842 $2,055.41

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APT29F100B2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

APT29F100B2

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Descripción MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
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Plazo estándar del fabricante 21 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 30 A (Tc) 1040 W (Tc) T-MAX™ [B2]

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Documentos y medios
Hojas de datos APT29F100(B2,L)
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Categorías
Fabricante Microsemi Corporation
Serie POWER MOS 8™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 440 mOhm a 16 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 2.5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 260nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1040 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3 variante
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

08:00:09 12/18/2018