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APT13F120S Canal N Montaje en superficie 1200V 14 A (Tc) 625 W (Tc) D3Pak
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APT13F120S-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

APT13F120S

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Descripción MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 1200V 14 A (Tc) 625 W (Tc) D3Pak

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Documentos y medios
Hojas de datos APT13F120B/S
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Categorías
Fabricante Microsemi Corporation
Serie POWER MOS 8™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 145nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4765pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 625 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D3Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-268-2, D³Pak (2 conductores + lengüeta), TO-268AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1

23:48:30 2/20/2019