• Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APL1001J-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

APL1001J

Descripción MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 1000V 18 A (Tc) 520 W (Tc) ISOTOP®

Documentos y medios
Hojas de datos APL1001J
Power Products Catalog
Obsolescencia PCN/ EOL Legacy Prod EOL 1/Mar/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Microsemi Corporation
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 2.5 mA
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 520 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor ISOTOP®
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres APL1001JMI
APL1001JMI-ND

22:38:47 2/19/2018

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