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VP3203N3-G Canal P Orificio pasante 30V 650 mA (Tj) 740 mW (Ta) TO-92-3
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key VP3203N3-G-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

VP3203N3-G

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Descripción MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 30V 650 mA (Tj) 740 mW (Ta) TO-92-3

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Categorías
Fabricante Microchip Technology
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 650 mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 10 mA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 740 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.41000 $1.41
25 1.17440 $29.36
100 1.07120 $107.12

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03:13:37 9/22/2018