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VN0109N3-G Canal N Orificio pasante 90V 350 mA (Tj) 1 W (Tc) TO-92-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key VN0109N3-G-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

VN0109N3-G

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Descripción MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 90V 350 mA (Tj) 1 W (Tc) TO-92-3

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Categorías
Fabricante Microchip Technology
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 90V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 350 mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 1 mA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 65pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

08:36:26 12/14/2018