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TP5335K1-G Canal P Montaje en superficie 350V 85 mA (Tj) 360 mW (Ta) TO-236AB (SOT23)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TP5335K1-GCT-ND
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Cantidad disponible 18,555
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TP5335K1-G

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Descripción MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 350V 85 mA (Tj) 360 mW (Ta) TO-236AB (SOT23)

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Categorías
Fabricante Microchip Technology
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 350V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 85 mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 Ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 110pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 360 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TP5335K1-GCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TP5335K1-GTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Precio unitario: $0.65920
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20:04:35 3/22/2019