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LND150N8-G Canal N Montaje en superficie 500V 30 mA (Tj) 1.6 W (Ta) SOT-89-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key LND150N8-GCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

LND150N8-G

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Descripción MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 500V 30 mA (Tj) 1.6 W (Ta) SOT-89-3

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Categorías
Fabricante Microchip Technology
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1000 Ohm a 500 µA, 0 V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 1.6 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-89-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-243AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres LND150N8-GCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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14:26:19 1/23/2019