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LND150K1-G Canal N Montaje en superficie 500V 13mA (Tj) 360mW (Ta) SOT-23-3
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  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

LND150K1-G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key LND150K1-GCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante LND150K1-G
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Descripción MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 500V 13mA (Tj) 360mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos LND150
Diseño/especificación de PCN Die Attach Material Update 22/Jun/2015
LND150/LND250 20/Aug/2018
Ensamble/origen de PCN Fab Site Addition 14/Aug/2014
Embalaje de PCN Label and Packing Changes 23/Sep/2015
Packing Changes 10/Oct/2016
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Microchip Technology
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1000Ohm a 500µA, 0V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 360mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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