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SI2310-TP Canal N Montaje en superficie 60V 3 A (Ta) 350 mW (Ta) SOT-23
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10 0.36200 $3.62
100 0.21720 $21.72
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2310-TPMSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2310-TP

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Descripción N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
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Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 3 A (Ta) 350 mW (Ta) SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2310
Módulos de capacitación sobre el producto Diode Handling and Mounting
Información de RoHS RoHS Cert
Producto destacado Expanded Power and Small Signal Mosfets
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Micro Commercial Co
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 3 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 247pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 350 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2310-TPMSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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06:26:04 2/17/2019