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2N7002-TP Canal N Montaje en superficie 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) SOT-23
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.17000 $0.17
10 0.15800 $1.58
25 0.15000 $3.75
100 0.06600 $6.60
250 0.06336 $15.84
500 0.05184 $25.92
1,000 0.03600 $36.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 2N7002-TPMSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 243,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.03144
  • Digi-Reel®  : 2N7002-TPMSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 243,612 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

2N7002-TP

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 2N7002-TPMSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante 2N7002-TP
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Descripción MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos 2N7002 Datasheet
Módulos de capacitación sobre el producto Diode Handling and Mounting
Información de RoHS RoHS Cert
Producto destacado Expanded Power and Small Signal Mosfets
Hoja de datos de HTML 2N7002 Datasheet
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Micro Commercial Co
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 115mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Vgs (máx.) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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