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DS1270W-100# Memoria IC NVSRAM (SRAM no volátil) 16 Mb (2 M x 8) Paralelo 100ns 36-EDIP
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DS1270W-100#-ND
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Stock en fábrica ?: 1,404
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DS1270W-100#

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Descripción IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Memoria IC NVSRAM (SRAM no volátil) 16 Mb (2 M x 8) Paralelo 100ns 36-EDIP

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Categorías
Fabricante Maxim Integrated
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria NVSRAM
Tecnología NVSRAM (SRAM no volátil)
Capacidad de memoria 16 Mb (2 M x 8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 100 ns
Tiempo de acceso 100ns
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 3 V ~ 3.6 V
Temperatura de operación 0 °C ~ 70 °C (TA)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) Módulo 36-DIP (0.600", 15.24 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 36-EDIP
Número de pieza base DS1270W
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 9

23:15:30 10/15/2018